郑友炓于1953年在永安一中高中毕业，考入南京大学物理系，现任南京大学物理系教授，一直从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程，发展了多种新器件。提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系，发现锗硅合金应变诱导有序化新结构，提出新模型。提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构等，著有多项科研成果。